2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | 2SK2035(T5L,F,T) |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 81960 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | 2SK2035(T5L,F,T).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение 2SK2035(T5L,F,T) в течение 24 часов.
- номер части
- 2SK2035(T5L,F,T)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 100mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
- Vgs (Макс.)
- 10V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 8.5pF @ 3V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 100mW (Ta)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- SSM
- Упаковка / чехол
- SC-75, SOT-416
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- 2SK2035(T5L,F,T)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
.jpg "SSM6J511NU,LF")
.jpg "TLP292(Y-TPL,E")
Связанные ключевые слова "2SK20"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| 2SK2000 | FUJITSU | TO-3P FUJITSU 2SK2000 IC |
| 2SK2002 | FUJITSU | TO-220 FUJITSU 2SK2002 IC |
| 2SK2002-01 | FUJITSU | TO-220F FUJITSU 2SK2002-01 IC |
| 2SK2002-01M(MR) | FUJITSU | TO-220 FUJITSU 2SK2002-01M(MR) IC |
| 2SK2002-01MR | FUJITSU | TO-220F FUJITSU 2SK2002-01MR IC |
| 2SK2003 | FUJITSU | TO-220F FUJITSU 2SK2003 IC |
| 2SK2003 K2003 | FUJITSU | TO-220F FUJITSU 2SK2003 K2003 IC |
| 2SK2003-01M(MR) | FUJITSU | TO-220 FUJITSU 2SK2003-01M(MR) IC |
| 2SK2004-01 | FUJITSU | TO-263 FUJITSU 2SK2004-01 IC |
| 2SK2009 TE85L(KM) | BOURNS | Original BOURNS 2SK2009 TE85L(KM) Fuse Inductor Components |
| 2SK2009TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI |
| 2SK2018-01 | FUJITSU | TO-252 FUJITSU 2SK2018-01 IC |