RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | RN2116,LF(CT |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 89950 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | TRANSISTOR PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
| Категория продукта | Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | RN2116,LF(CT.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN2116,LF(CT в течение 24 часов.
- номер части
- RN2116,LF(CT
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип транзистора
- PNP - Pre-Biased
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 100mA
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 4.7 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 10 kOhms
- Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
- 50 @ 10mA, 5V
- Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 500nA
- Частота - переход
- 200MHz
- Мощность - макс.
- 100mW
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- SC-75, SOT-416
- Пакет устройств поставщика
- SSM
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- RN2116,LF(CT
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "RN21"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RN21-I/RM | Microchip Technology | RF TXRX MODULE BLUETOOTH |
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W SSM |
| RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
| RN2102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W SSM |
| RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
| RN2103(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W SSM |
| RN2103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W CST3 |
| RN2103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
| RN2103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| RN2104(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W SSM |