TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TK31V60W5,LVQ |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 60470 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | TK31V60W5,LVQ.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TK31V60W5,LVQ в течение 24 часов.
- номер части
- TK31V60W5,LVQ
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 30.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 109 mOhm @ 15.4A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 1.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 105nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 3000pF @ 300V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 240W (Tc)
- Рабочая Температура
- 150°C (TA)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- 4-DFN-EP (8x8)
- Упаковка / чехол
- 4-VSFN Exposed Pad
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- TK31V60W5,LVQ
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
.jpg "TC74LCX374FT(EL)")
Связанные ключевые слова "TK31"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TK31A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS |
| TK31E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 |
| TK31E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220 |
| TK31J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
| TK31J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
| TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 |
| TK31N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 |
| TK31N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247 |
| TK31V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN |
| TK31V60W5,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
| TK31V60X,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN |