Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные - Дискретный полупроводник - MMBT3904-TP BC847BLT1G MMBT3904-7-F MMBT3906-7-F

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Мощность - макс.	Частота - переход	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MMBT3904-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT23	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	350mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC847BLT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT23	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	300mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT3904-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	300mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBT3906-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT23-3	в производстве	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	300mW	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBT4401-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3	в производстве	NPN	600mA	40V	750mV @ 50mA, 500mA	100nA	100 @ 150mA, 1V	310mW	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBT3906TT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SC75-3	в производстве	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	200mW	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
MMBT3904WT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT323	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	150mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70-3 (SOT323)
MMBT2222ALT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23	в производстве	NPN	600mA	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	225mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
MMBTA42LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT23	в производстве	NPN	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	225mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT5551LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 160V 0.6A SOT23	в производстве	NPN	600mA	160V	200mV @ 5mA, 50mA	100nA	80 @ 10mA, 5V	225mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBTA56LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 80V 0.5A SOT23	в производстве	PNP	500mA	80V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	225mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT6428LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23	в производстве	NPN	200mA	50V	600mV @ 5mA, 100mA	100nA	250 @ 100µA, 5V	225mW	700MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT4401	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-23	устарелый	NPN	600mA	40V	750mV @ 50mA, 500mA	-	100 @ 150mA, 1V	350mW	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BC847BT-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT523	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	150mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
MMBT3906	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT-23	устарелый	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	350mW	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBT3904T-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT523	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	150mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-523	SOT-523
SMMBT3904LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT23	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	300mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBTA42	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT-23	устарелый	NPN	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	240mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
DNBT8105-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	60V	500mV @ 100mA, 1A	100nA	100 @ 500mA, 5V	600mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SC3326-A,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 20V 0.3A S-MINI	в производстве	NPN	300mA	20V	100mV @ 3mA, 30mA	100nA (ICBO)	200 @ 4mA, 2V	150mW	30MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236
DSS4240T-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 2A SOT-23	в производстве	NPN	2A	40V	320mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	300 @ 1A, 2V	600mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SC5658T2LQ	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A VMT3	в производстве	NPN	150mA	50V	400mV @ 5mA, 50mA	100nA (ICBO)	120 @ 1mA, 6V	150mW	180MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-723	VMT3
BCP56-16T3G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	1.5W	130MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
MMBT3904LP-7B	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A DFN1006-3	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	250mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-UFDFN	3-DFN1006 (1.0x0.6)
PZT2222AT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT223	в производстве	NPN	600mA	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	1.5W	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
2SC5662T2LP	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 11V 0.05A VMT3	в производстве	NPN	50mA	11V	500mV @ 5mA, 10mA	500nA (ICBO)	82 @ 5mA, 10V	150mW	3.2GHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-723	VMT3
BCX5616TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-89	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	1W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
FMMT495TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 150V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	150V	300mV @ 50mA, 500mA	100nA	10 @ 250mA, 10V	500mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
PZT2222A	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 1A SOT-223	устарелый	NPN	1A	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	1W	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4
DNLS350Y-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 50V 3A SOT89-3	в производстве	NPN	3A	50V	370mV @ 300mA, 3A	100nA	300 @ 1A, 2V	1W	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
FMMT458TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 400V 0.225A SOT23-3	в производстве	NPN	225mA	400V	500mV @ 6mA, 50mA	100nA	100 @ 50mA, 10V	500mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT589TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 30V 1A SOT23-3	в производстве	PNP	1A	30V	650mV @ 200mA, 2A	100nA	100 @ 500mA, 2V	500mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT493TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	100V	600mV @ 100mA, 1A	100nA	100 @ 250mA, 10V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT455TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 140V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	140V	700mV @ 15mA, 150mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	500mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT558TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 400V 0.15A SOT23-3	в производстве	PNP	150mA	400V	500mV @ 6mA, 50mA	100nA	100 @ 50mA, 10V	500mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT555TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 150V 1A SOT23-3	в производстве	PNP	1A	150V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	50 @ 300mA, 10V	500mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT449TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 30V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	30V	1V @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	100 @ 500mA, 2V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
NSS60200LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 2A SOT-23	в производстве	PNP	2A	60V	220mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	150 @ 500mA, 2V	460mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
PZT651T1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 2A SOT223	в производстве	NPN	2A	60V	500mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	75 @ 1A, 2V	800mW	75MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
FMMT597TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 300V 0.2A SOT23-3	в производстве	PNP	200mA	300V	250mV @ 20mA, 100mA	100nA	100 @ 50mA, 10V	500mW	75MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT614TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN DARL 100V 0.5A SOT23-3	в производстве	NPN - Darlington	500mA	100V	1V @ 5mA, 500mA	10µA	15000 @ 100mA, 5V	500mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT596TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 200V 0.3A SOT23-3	в производстве	PNP	300mA	200V	350mV @ 25mA, 250mA	100nA	85 @ 250mA, 10V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
CMPT5401 TR	Central Semiconductor Corp	TRANSISTOR PNP 150V 0.6A SOT-23	в производстве	PNP	600mA	150V	500mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	60 @ 10mA, 5V	350mW	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
NJT4031NT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 3A SOT223	в производстве	NPN	3A	40V	300mV @ 300mA, 3A	100nA (ICBO)	200 @ 1A, 1V	2W	215MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
PBSS4041NT,215	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 60V 3.8A SOT23	в производстве	NPN	3.8A	60V	300mV @ 200mA, 4A	100nA	120 @ 2A, 2V	1.1W	175MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
FJT44KTF	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT223	в производстве	NPN	300mA	400V	750mV @ 5mA, 50mA	500nA	50 @ 10mA, 10V	2W	-	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4
PBSS8110X,135	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT89	в производстве	NPN	1A	100V	200mV @ 100mA, 1A	100nA	150 @ 250mA, 10V	2W	100MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
DZTA42-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT-223	в производстве	NPN	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	1W	50MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
FMMT560TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 500V 0.15A SOT23-3	в производстве	PNP	150mA	500V	500mV @ 10mA, 50mA	100nA	80 @ 50mA, 10V	500mW	60MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT619TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 50V 2A SOT23-3	в производстве	NPN	2A	50V	220mV @ 50mA, 2A	100nA	200 @ 1A, 2V	625mW	165MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные