номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
CEL RF FET 4V 12GHZ 4MICROX в производствеpHEMT FET12GHz13.7dB2V15mA0.5dB10mA125mW4V4-Micro-X4-Micro-X
STMicroelectronics TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT в производствеLDMOS500MHz19dB12.5V2.5A
-
50mA3W40V8-PowerVDFNPowerFLAT™ (5x5)
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.14GHz17dB28V
-
-
110mA2W65V16-VDFN Exposed Pad16-HVSON (6x4)
STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 в производствеLDMOS500MHz17dB12.5V2.5A
-
50mA3W40VPowerSO-10 Exposed Bottom Pad10-PowerSO
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN в производствеLDMOS (Dual), Common Source860MHz22dB50V
-
-
60mA10W104V12-VDFN Exposed Pad12-HVSON (6x5)
STMicroelectronics TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF в производствеLDMOS2GHz11dB13.6V5A
-
150mA10W40VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
M/A-Com Technology Solutions HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC в производствеHEMT0Hz ~ 6GHz14.8dB28V1.4A
-
50mA4W100V8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SOIC
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN в производствеLDMOS (Dual), Common Source860MHz22dB50V
-
-
60mA10W104V12-VDFN Exposed Pad12-HVSON (6x5)
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE в производствеHEMT6GHz15dB28V
-
-
100mA8W84VDieDie
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP в производствеHEMT0Hz ~ 6GHz12dB28V
-
-
100mA8W84V6-VDFN Exposed Pad6-QFN-EP (3x3)
IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE475 в производствеN-Channel
-
-
-
24A
-
-
1800W1000V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE475
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz18.5dB28V
-
-
100mA700mW65VSOT-538A2-CSMD
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz18.5dB28V
-
-
100mA700mW65VSOT-538A2-CSMD
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz18.5dB28V
-
-
100mA700mW65VSOT-538A2-CSMD
IXYS-RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 в производстве2 N-Channel (Dual)70MHz17dB100V10A
-
-
270W500V8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
-
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 12DFN в производствеHEMT6GHz20.4dB50V
-
-
130mA30W125V12-VFDFN Exposed Pad12-DFN (4x3)
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440109 в производствеHEMT0Hz ~ 6GHz13dB28V3.5A
-
100mA8W84V440109440109
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT0Hz ~ 6GHz14.5dB28V3.5A
-
200mA12.5W84V440166440166
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C в производствеLDMOS1.3GHz19dB32V
-
-
200mA35W65VSOT467CSOT467C
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 в производствеLDMOS2.45GHz18.5dB32V
-
-
20mA250W65VSOT-1270-1SOT-1270-1
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440196 в производствеHEMT5.5GHz ~ 5.8GHz11dB28V1.5A
-
115mA15W84V440196440196
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT5.65GHz12dB28V
-
-
200mA12.5W84V440166440166
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT3GHz15dB28V
-
-
100mA15W84V440166440166
STMicroelectronics IC TRANSISTOR RF HF/VHF/UHF M174 в производствеN-Channel175MHz15dB50V20A
-
250mA150mW125VM174M174
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V DIE в производствеHEMT18GHz17dB40V
-
-
360mA70W100VDieDie
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C в производствеLDMOS225MHz27.5dB50V3.6A
-
50mA20W110VSOT467CSOT467C
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C в производствеLDMOS860MHz21dB50V
-
-
500mA140W104VSOT467CSOT467C
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B в производствеLDMOS860MHz21dB50V
-
-
500mA140W104VSOT467BLDMOST
Microsemi Corporation MOSFET RF POWER N-CH 50V 300W M208 в производствеN-Channel175MHz16dB50V36A
-
500mA300W170V4-SMDM208
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A в производствеLDMOS225MHz27.2dB50V42A
-
900mA300W110VSOT-502ALDMOST
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT0Hz ~ 6GHz13dB28V7A
-
250mA30W84V440166440166
STMicroelectronics IC TRANSISTOR RF HF/VHF/UHF в производствеN-Channel30MHz23.5dB50V40A
-
250mA300W125VM177M177
Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A в производствеHEMT3GHz ~ 3.5GHz14.5dB50V
-
-
50mA10W150VSOT-1227ACDFM2
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz28dB50V
-
-
100mA350W135VSOT-1121ALDMOST
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT4.5GHz ~ 6GHz11dB28V
-
-
250mA30W84V440166440166
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440166 в производствеHEMT5.5GHz ~ 5.8GHz10dB28V3A
-
250mA30W84V440166440166
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A в производствеLDMOS (Dual), Common Source860MHz21dB50V
-
-
650mA150W104VSOT-1121ALDMOST
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz23.9dB50V
-
-
100mA700W135VSOT-1214ASOT1214A
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.3GHz16.5dB32V32A
-
900mA100W65VSOT-540ALDMOST
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz21dB50V2.5A
-
50mA25W100VSOT467CSOT467C
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 440166 в производствеHEMT0Hz ~ 6GHz16dB50V4.2A
-
150mA30W125V440166440166
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A в производствеLDMOS (Dual), Common Source225MHz23.5dB50V
-
-
100mA600W110VSOT-1214ASOT1214A
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440193 в производствеHEMT0Hz ~ 4GHz14dB28V10.5A
-
500mA45W84V440193440193
Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467C в производствеHEMT3GHz11.5dB50V
-
-
150mA50W150VSOT467CSOT467C
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz24.4dB50V
-
-
40mA1400W135VSOT539ASOT539A
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz24.4dB50V
-
-
40mA1400W135VSOT539BSOT539B
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440193 в производствеHEMT3GHz13dB28V
-
-
300mA60W84V440193440193
Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440193 в производствеHEMT0Hz ~ 4GHz14dB28V14A
-
400mA55W84V440193440193
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A в производствеLDMOS (Dual), Common Source225MHz26.5dB50V56A
-
1A400W110VSOT539ASOT539A
Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A в производствеLDMOS1.3GHz17dB50V
-
-
100mA250W100VSOT-1121ALDMOST
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10