Транзисторы - IGBT - массивы - Дискретный полупроводник - FII40-06D FII30-06D IXA20PG1200DHGLB-TRR IXA40RG1200DHGLB-TRR

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Состояние детали	IGBT Тип	конфигурация	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	Current - Collector (Ic) (Max)	Power - Max	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Current - Collector Cutoff (Max)	Input емкость (Cies) @ Vce	Input	NTC Thermistor	Рабочая Температура	Mounting Тип	Package / Case	Комплект поставки устройства
FII40-06D	IXYS	IGBT 600V 40A I-PACK	в производстве	NPT	Half Bridge	600V	40A	125W	2.2V @ 15V, 25A	600µA	1.6nF @ 25V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-06D	IXYS	IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5	в производстве	NPT	Half Bridge	600V	30A	100W	2.4V @ 15V, 20A	600µA	1.1nF @ 25V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHGLB-TRR	IXYS	IGBT MODULE 1200V 105A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	32A	130W	2.1V @ 15V, 15A	125µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHGLB-TRR	IXYS	IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	63A	230W	2.15V @ 15V, 35A	150µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHGLB	IXYS	IGBT MODULE 1200V 105A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	32A	130W	2.1V @ 15V, 15A	125µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHGLB	IXYS	IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	63A	230W	2.15V @ 15V, 35A	150µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHGLB-TRR	IXYS	IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	43A	150W	2.2V @ 15V, 25A	2.1mA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHGLB	IXYS	IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	43A	150W	2.2V @ 15V, 25A	2.1mA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHGLB-TRR	IXYS	IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	63A	230W	2.15V @ 15V, 35A	150µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHGLB	IXYS	IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD	в производстве	PT	Half Bridge	1200V	63A	230W	2.15V @ 15V, 35A	150µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	9-SMD Module	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N17AH1	IXYS	IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAK5	в производстве	NPT	Half Bridge	1700V	18A	140W	6V @ 15V, 16A	100µA	2.4nF @ 25V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S	IXYS	IGBT PHASE LEG HV ISOPLUS I4PAKS	в производстве	NPT	Half Bridge	1700V	18A	140W	6V @ 15V, 16A	100µA	2.4nF @ 25V	Standard	No	-	Through Hole	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
MMIX4G20N250	IXYS	MOSFET N-CH	в производстве	-	Full Bridge	2500V	23A	100W	3.1V @ 15V, 20A	10µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	24-SMD Module, 9 Leads	24-SMPD
MMIX4B20N300	IXYS	MOSFET N-CH	в производстве	-	Full Bridge	3000V	34A	150W	3.2V @ 15V, 20A	-	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	24-SMD Module, 9 Leads	24-SMPD
FII30-12E	IXYS	IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5	устарелый	NPT	Half Bridge	1200V	33A	150W	2.9V @ 15V, 20A	200µA	1.2nF @ 25V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E	IXYS	IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5	устарелый	NPT	Half Bridge	1200V	50A	200W	2.6V @ 15V, 30A	400µA	2nF @ 25V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N170AH1	IXYS	IGBT 1700V 18A I4PAK	устарелый	NPT	Half Bridge	1700V	18A	140W	6V @ 15V, 16A	100µA	2.4nF @ 25V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	i4-Pac™-4, Isolated	ISOPLUS i4-PAC™

Производители для Транзисторы - IGBT - массивы