номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораНапряжение - пробой (V (BR) GSS)Слив к источнику напряжения (Vdss)Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)Текущий слив (Id) - Макс.Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ IdВходная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsСопротивление - RDS (Вкл.)Мощность - макс.Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
6mA @ 15V
-
1.5V @ 1nA
-
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
7mA @ 15V
-
3V @ 10nA
-
125 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA
-
250 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 в производствеN-Channel25V
-
30mA @ 15V
-
1V @ 3nA30pF @ 10V (VGS)
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SuperSOT-3
Central Semiconductor Corp JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 в производствеN-Channel40V
-
25mA @ 20V
-
2V @ 1nA14pF @ 20V60 Ohms1.8W-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Central Semiconductor Corp JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 в производствеN-Channel40V
-
5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms1.8W-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
ON Semiconductor JFET N-CH 40V 250MW SOT23 в производствеN-Channel40V
-
50mA @ 15V
-
4V @ 0.5nA
-
25 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
2mA @ 15V
-
500mV @ 1µA
-
100 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 350MW SOT23 в производствеN-Channel25V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA7pF @ 15V
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 10MA 200MW 3CP в производствеN-Channel
-
30V1.2mA @ 10V10mA180mV @ 1µA4pF @ 10V200 Ohms200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
ON Semiconductor JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel40V
-
4mA @ 15V
-
1.8V @ 1µA7pF @ 15V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel40V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 1µA7pF @ 15V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel40V
-
1mA @ 15V
-
750mV @ 1µA7pF @ 15V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 40V 350MW SOT23 в производствеN-Channel40V
-
900µA @ 20V
-
800mV @ 10nA
-
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel25V25V24mA @ 10V
-
2.5V @ 1nA5pF @ 10V (VGS)
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor JFET N-CH 40V 350MW SOT23 в производствеN-Channel40V
-
8mA @ 20V
-
1V @ 1nA16pF @ 20V80 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel40V
-
30µA @ 10V
-
600mV @ 1nA3pF @ 10V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel40V
-
80µA @ 10V
-
1V @ 1nA3pF @ 10V
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.35W TO92 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA
-
250 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
7mA @ 15V
-
3V @ 10nA11pF @ 10V (VGS)125 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V7.3mA @ 5V50mA200mV @ 100µA
-
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V10mA @ 5V50mA200mV @ 100µA
-
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
500mV @ 1nA
-
-
225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V .04A CPH3 в производствеN-Channel25V25V20mA @ 5V50mA1.8V @ 100µA6pF @ 5V
-
400mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT в производствеN-Channel25V
-
10mA @ 15V
-
4V @ 10nA
-
18 Ohms460mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SuperSOT-3
ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V14.5mA @ 5V50mA200mV @ 100µA
-
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V40mA @ 15V
-
6V @ 1µA30pF @ 10V (VGS)12 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
ON Semiconductor JFET N-CH 40V 0.625W TO92 в производствеN-Channel40V
-
4mA @ 15V
-
700mV @ 1nA16pF @ 15V
-
625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
Central Semiconductor Corp JFET N-CH 40V 0.625W TO92 в производствеN-Channel40V
-
50mA @ 20V
-
4V @ 1nA14pF @ 20V30 Ohms625mW-65°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92
Central Semiconductor Corp JFET N-CH 40V 50MA SOT23 в производствеN-Channel40V40V5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms350mW-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
20mA @ 15V
-
3V @ 1µA
-
30 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
2mA @ 15V
-
500mV @ 1µA
-
100 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
200mA @ 15V
-
2V @ 1µA
-
6 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
Central Semiconductor Corp JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 в производствеN-Channel40V
-
8mA @ 15V
-
800mV @ 0.5nA10pF @ 10V (VGS)60 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Central Semiconductor Corp JFET P-CH 30V 0.5W TO18 в производствеP-Channel30V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1nA25pF @ 15V150 Ohms500mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
NXP USA Inc. JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 в производствеP-Channel30V30V1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA8pF @ 10V (VGS)300 Ohms300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V10mA @ 15V
-
4V @ 1µA30pF @ 10V (VGS)18 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 в производствеN-Channel
-
25V1mA @ 10V10mA2.5V @ 0.5nA4pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc. JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 в производствеN-Channel
-
25V1mA @ 10V10mA2.5V @ 0.5nA4pF @ 10V
-
250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
ON Semiconductor TRANSISTOR JFET P-CH SOT23 в производствеP-Channel30V
-
1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA11pF @ 10V (VGS)300 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
ON Semiconductor JFET N-CH 1MA 125MW CP в производствеN-Channel
-
40V60µA @ 10V1mA1.5V @ 1µA1.7pF @ 10V
-
125mW
-
SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
40mA @ 15V
-
2V @ 10nA
-
12 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
100mA @ 15V
-
500mV @ 1µA
-
8 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
Panasonic Electronic Components JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 устарелыйN-Channel
-
-
600µA @ 10V20mA1.5V @ 10µA7pF @ 10V300 Ohms150mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1
Panasonic Electronic Components JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P устарелыйN-Channel
-
20V107µA @ 2V2mA
-
-
-
100mW-20°C ~ 80°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-723SSSMini3-F1
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 0.1W USM в производствеN-Channel50V
-
1.2mA @ 10V
-
1.5V @ 100nA13pF @ 10V
-
100mW125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323USM
Panasonic Electronic Components JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 устарелыйN-Channel
-
30V500µA @ 10V20mA100mV @ 10µA14pF @ 10V
-
150mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1
ON Semiconductor JFET NCH 30V 200MW 3CP в производствеN-Channel
-
30V600µA @ 10V10mA180mV @ 1µA4pF @ 10V200 Ohms200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel30V30V5mA @ 15V
-
500mV @ 10nA14pF @ 15V100 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6