1N6481-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division дистрибьютор
| Номер детали производителя | 1N6481-E3/97 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Количество на складе | 80950 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB |
| Категория продукта | Диоды - выпрямители - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | 1N6481-E3/97.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение 1N6481-E3/97 в течение 24 часов.
- номер части
- 1N6481-E3/97
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип диода
- Standard
- Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)
- 400V
- Текущий - средний отрегулированный (Io)
- 1A
- Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если
- 1.1V @ 1A
- скорость
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr)
-
- Текущий - обратный утечек @ Vr
- 10µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F
- 8pF @ 4V, 1MHz
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- DO-213AB, MELF (Glass)
- Пакет устройств поставщика
- DO-213AB
- Рабочая температура - Соединение
- -65°C ~ 175°C
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- 1N6481-E3/97
Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division
-
VISHAYSolid Tantalum Chip Capacitors TANTAMOUNT, Conformal Coated, Maximum CV, Low ESR -
-
-
-
-
-
-
-
-
Связанные ключевые слова "1N64"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| 1N645 | STMicroelectronics | 1N645 STM IC ORIGINAL |
| 1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 |
| 1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING |
| 1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE |
| 1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 |
| 1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES |
| 1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 |
| 1N6461 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 5V 9V AXIAL |
| 1N6461US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 5V 9V B AXIAL |
| 1N6462 | Semtech Corporation | TVS DIODE 6V 11V AXIAL |
| 1N6462US | Semtech Corporation | TVS DIODE 6V 11V |
| 1N6463 | Semtech Corporation | TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL |