SE12DD-M3/I Vishay Semiconductor Diodes Division дистрибьютор
Номер детали производителя | SE12DD-M3/I |
---|---|
Производитель / Марка | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Количество на складе | 75170 более |
Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
Краткое описание | DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC |
Категория продукта | Диоды - выпрямители - одиночные |
Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
Срок поставки | 1-2 дня |
Год производства (DC) | последний |
Скачать спецификацию | SE12DD-M3/I.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SE12DD-M3/I в течение 24 часов.
- номер части
- SE12DD-M3/I
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип диода
- Standard
- Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)
- 400V
- Текущий - средний отрегулированный (Io)
- 3.2A
- Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если
- 1.15V @ 12A
- скорость
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr)
- 3µs
- Текущий - обратный утечек @ Vr
- 20µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F
- 90pF @ 4V, 1MHz
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
- Пакет устройств поставщика
- TO-263AC (SMPD)
- Рабочая температура - Соединение
- -55°C ~ 175°C
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- SE12DD-M3/I
Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division
Связанные ключевые слова "SE1"
номер части | производитель | Описание |
---|---|---|
SE100M2R20A5F-0511 | YAGEO | YAGEO Capacitors Resistors... |
SE100PWB-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A SLIMDPAK |
SE100PWBHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 10A SLIMDPAK |
SE100PWD-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 10A SLIMDPAK |
SE100PWDHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 10A SLIMDPAK |
SE100PWG-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 10A SLIMDPAK |
SE100PWGHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 10A SLIMDPAK |
SE100PWJ-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK |
SE100PWJHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK |
SE101 MICRON | MICRON | SE101 MTXA128GAAAAARJ-25ES:A Micron Memory IC |
SE102 MICRON | MICRON | SE102 MTXA256GACBAARJ-25ES:A Micron Memory IC |
SE103 MICRON | MICRON | SE103 MTXA512GAJBAARJ-25ES:A Micron Memory IC |