номер части

SI1054X-T1-E3

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

12V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 1.32A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

8.57nC @ 5V

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

480pF @ 6V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

236mW (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

SC-89-6

Упаковка / чехол

SOT-563, SOT-666

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

SI1054X-T1-E3