SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI4823DY-T1-E3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Количество на складе | 32970 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | SI4823DY-T1-E3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI4823DY-T1-E3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI4823DY-T1-E3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 4.1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 12nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 660pF @ 10V
- Функция FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- 8-SO
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- SI4823DY-T1-E3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
Связанные ключевые слова "SI48"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI4800 | PHILIPS NXP | N-channel enhancement mode field-effect Transistors |
| SI4800 DY | PHILIPS NXP | SO-8 NXP PHILIPS SI4800 DY IC |
| SI4800+118 | PHILIPS NXP | Original NXP PHILIPS SI4800+118 IC |
| SI4800,518 | NXP | SOP-8 NXP SI4800,518 IC |
| SI4800BDY(ROHS) | Silicon Labs | SOP3.9M SILICON SI4800BDY(ROHS) IC |
| SI4800BDY-T | VISHAY | SI4800BDY-T original vishay components |
| SI4800BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
| SI4800BDY-T1-E3.. | VISHAY | SI4800BDY-T1-E3.. original vishay components |
| SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
| SI4800CUA | VISHAY | SI4800CUA original vishay components |
| SI4800DY(GF4800-5B) | VISHAY | SI4800DY(GF4800-5B) original vishay components |
| SI4800DYT1 | VISHAY | SI4800DYT1 original vishay components |