SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
Номер детали производителя | SI5468DC-T1-GE3 |
---|---|
Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
Количество на складе | 56490 более |
Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 |
Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
Срок поставки | 1-2 дня |
Год производства (DC) | последний |
Скачать спецификацию | SI5468DC-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI5468DC-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI5468DC-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 28 mOhm @ 6.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 12nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 435pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- 1206-8 ChipFET™
- Упаковка / чехол
- 8-SMD, Flat Lead
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- SI5468DC-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
Связанные ключевые слова "SI546"
номер части | производитель | Описание |
---|---|---|
SI5461EDC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI5461EDC-T1 | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI5461EDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET |
SI5461EDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET |
SI5463EDC | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI5463EDC-T1 | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI5463EDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
SI5463EDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
SI5463EDC_08 | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI5465ECD-T1-E3 | VISHAY | SI5465ECD-T1-E3 original vishay components |
SI5465EDC | VISHAY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI5465EDC-T1-E3 | VISHAY | SI5465EDC-T1-E3 original vishay components |