номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТипконфигурацияТекущийнапряжениеНапряжение - изоляцияУпаковка / чехол
Global Power Technologies Group SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S в производствеIGBT1 Phase120A1.2kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase30A600V2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase60A600V2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase60A600V2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C в производствеMOSFET1 Phase40A1.2kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S в производствеIGBT1 Phase160A1.2kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase100A600V2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C в производствеMOSFET1 Phase60A1.2kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S в производствеIGBT1 Phase200A1.25kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase50A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase100A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C в производствеMOSFET1 Phase120A1.2kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group 1700V 50A SIC SBD PARALLEL в производстве
-
-
150A1.7kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase150A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 в производствеMOSFETFull Bridge40A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBTHalf Bridge200A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase200A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C в производствеMOSFET1 Phase200A1.2kV2500VrmsSOT-227-4, miniBLOC
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBTHalf Bridge400A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2EASY в производствеMOSFET3 Phase40A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 в производствеMOSFET
-
42A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES в производствеIGBT3 Phase195A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2EASY в производствеMOSFET3 Phase80A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 в производствеMOSFET
-
95A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL в производствеMOSFETHalf Bridge240A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL в производствеMOSFETHalf Bridge300A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL в производствеMOSFETHalf Bridge360A1.2kV2500VrmsPower Module
Global Power Technologies Group SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL в производствеMOSFETHalf Bridge480A1.2kV2500VrmsPower Module