Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Линейные - Усилители - Измерительные приборы, OP-усилители, Буферные усилители - TC75S54FU(TE85L,F) TA75S01F,LF

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип усилителя	Количество схем	Тип выхода	Скорость нарастания	Получите пропускную способность продукта	Пропускная способность -3 дБ	Ток - входное смещение	Напряжение - смещение входа	Текущий - поставка	Текущий - выход / канал	Напряжение - Питание, Одиночный / Двойной (±)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
TC75S54FU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP CMOS USV	в производстве	General Purpose	1	-	0.7 V/µs	-	-	1pA	2mV	100µA	700µA	3.5 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 1.8 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
TA75S01F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 300KHZ 5SSOP	в производстве	General Purpose	1	-	-	300kHz	-	45nA	2mV	400µA	40mA	3 V ~ 12 V, ±1.5 V ~ 6 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
TC75S51F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 5SSOP	в производстве	General Purpose	1	-	0.5 V/µs	-	-	1pA	2mV	60µA	-	1.5 V ~ 7 V, ±0.75 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
TA75W01FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 8SSOP	в производстве	General Purpose	2	-	-	-	-	45nA	2mV	700µA	40mA	3 V ~ 12 V, ±1.5 V ~ 6 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SM8
TC75W54FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 900KHZ 8SSOP	в производстве	General Purpose	2	-	0.7 V/µs	900kHz	-	1pA	2mV	200µA	700µA	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SM8
TA75W558FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 3MHZ 8SSOP	в производстве	General Purpose	2	-	1 V/µs	3MHz	-	60nA	500µV	4mA	40mA	±4 V ~ 18 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SM8
TC75W51FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP	в производстве	General Purpose	2	-	0.5 V/µs	600kHz	-	1pA	2mV	120µA	-	1.5 V ~ 7 V, ±0.75 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SM8
TC75W55FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 160KHZ SM8-8	в производстве	General Purpose	2	-	0.08 V/µs	160kHz	-	1pA	2mV	20µA	-	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SM8
TLP7920(D4-TP1,F	Toshiba Semiconductor and Storage	X36 PB-F OPTO ISOLATION AMPLIFIE	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Gull Wing	-
TLP7920(D4-A,F	Toshiba Semiconductor and Storage	ISO AMP ANALOG OUTPUT GAIN SAFE	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-DIP
TC75W54FK(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP 900KHZ US8	в производстве	General Purpose	2	-	0.7 V/µs	900kHz	-	1pA	2mV	200µA	700µA	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	US8
TC75W55FK(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP 160KHZ US8	в производстве	General Purpose	2	-	0.08 V/µs	160kHz	-	1pA	2mV	20µA	-	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	US8
TC75S51FUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP CMOS USV	в производстве	General Purpose	1	-	0.5 V/µs	-	-	1pA	2mV	60µA	-	1.5 V ~ 7 V, ±0.75 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
TA75S558F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 3MHZ 5SSOP	в производстве	General Purpose	1	-	1 V/µs	3MHz	-	60nA	500µV	2.5mA	40mA	±4 V ~ 18 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
TC75S55F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 160KHZ 5SSOP	в производстве	General Purpose	1	-	0.08 V/µs	160kHz	-	1pA	2mV	10µA	450µA	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
TC75S54F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 900KHZ SMV-5	в производстве	General Purpose	1	-	0.7 V/µs	-	-	1pA	2mV	100µA	700µA	3.5 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 1.8 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
TC75W51FK(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP 600KHZ US8	в производстве	General Purpose	2	-	0.5 V/µs	600kHz	-	1pA	2mV	120µA	-	1.5 V ~ 7 V, ±0.75 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	US8
TC75S101F(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 5SSOP	устарелый	General Purpose	1	-	0.15 V/µs	-	-	0.1pA	1.2mV	63µA	1.5mA	1.5 V ~ 5.5 V, ±0.75 V ~ 2.75 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
TLP7820(TL,E	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP ISOLATION 230KHZ 8SOL	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	900µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	8-SOL
TLP7820(D4-A,E	Toshiba Semiconductor and Storage	ISO AMP ANALOG OUTPUT GAIN SAFE	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	900µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SO
TLP7820(D4-B,E	Toshiba Semiconductor and Storage	ISO AMP ANALOG OUTPUT GAIN SAFE	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	900µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	8-SO
TLP7920(D4,F	Toshiba Semiconductor and Storage	ISO AMP ANALOG OUTPUT SAFETY	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-DIP
TC75S63TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP CMOS 3.5MHZ UFV	в производстве	CMOS	1	-	1 V/µs	3.5MHz	-	1pA	1mV	500µA	4mA	2.2 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD (5 Leads), Flat Lead	UFV
TC75S67TU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 OP-AMP CMOS LOW CURRENT CO	в производстве	CMOS	1	-	1 V/µs	3.5MHz	-	1pA	500µV	430µA	4mA	2.2 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD (5 Leads), Flat Lead	UFV
TLP7920(D4ALF1,F	Toshiba Semiconductor and Storage	ISO AMP ANALOG OUTPUT GAIN SAFE	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Gull Wing	-
TLP7920(D4-LF1,F	Toshiba Semiconductor and Storage	ISO AMP ANALOG OUTPUT SAFETY	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Gull Wing	-
TC75S60FU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP USV	в производстве	General Purpose	1	-	5.1 V/µs	-	-	1pA	2mV	330µA	1.25mA	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
TLP7920(F	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP ISOLATION 230KHZ 8DIP	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-DIP
TLP7820(D4,E	Toshiba Semiconductor and Storage	ISOLATION AMPLIFIER ANALOG OUTP	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	900µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	8-SO
TLP7820(E	Toshiba Semiconductor and Storage	ISOLATION AMPLIFIER ANALOG OUTP	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	900µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	8-SO
TLP7920(D4-B,F	Toshiba Semiconductor and Storage	ISOLATION AMPLIFIER ANALOG OUTP	в производстве	Isolation	1	Differential	-	-	230kHz	5.5nA	730µV	12mA	-	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 105°C	-	-	-
TC75W60FK(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 8SSOP	устарелый	General Purpose	2	-	5.1 V/µs	-	-	1pA	2mV	660µA	1.25mA	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	US8
TC75W60FU(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP GP 8SSOP	устарелый	General Purpose	2	-	5.1 V/µs	-	-	1pA	2mV	660µA	1.25mA	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SM8
TC75S101FE,LM(T	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP CMOS ESV	устарелый	General Purpose	1	-	0.15 V/µs	-	-	0.1pA	1.2mV	63µA	1.5mA	1.5 V ~ 5.5 V, ±0.75 V ~ 2.75 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SOT-553	ESV
TC75S55FU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP GP CMOS USV	Discontinued at -	General Purpose	1	-	0.7 V/µs	-	-	1pA	2mV	10µA	700µA	3.5 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 1.8 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
TC75S101FU(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OP AMP CMOS USV	устарелый	General Purpose	1	-	0.15 V/µs	-	-	0.1pA	1.2mV	63µA	-	1.5 V ~ 5.5 V, ±0.75 V ~ 2.75 V	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	5-SSOP

Производители для Линейные - Усилители - Измерительные приборы, OP-усилители, Буферные усилители