ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | ZXMN10A08DN8TA |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Количество на складе | 76050 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | ZXMN10A08DN8TA.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение ZXMN10A08DN8TA в течение 24 часов.
- номер части
- ZXMN10A08DN8TA
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1.6A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 250 mOhm @ 3.2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 7.7nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 405pF @ 50V
- Мощность - макс.
- 1.25W
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика
- 8-SOP
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- ZXMN10A08DN8TA
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
,TO-226_straightlead.jpg "ZSM560C")
Связанные ключевые слова "ZXMN"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| ZXMN 2A02 | FAIRCHILD | ZXMN 2A02 FAIRCHILD IC MSOP-8 |
| ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 |
| ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC |
| ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC |
| ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 |
| ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 |
| ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
| ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK |