ZXMN6A08E6TC Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | ZXMN6A08E6TC |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Количество на складе | 68500 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | ZXMN6A08E6TC.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение ZXMN6A08E6TC в течение 24 часов.
- номер части
- ZXMN6A08E6TC
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 2.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 80 mOhm @ 4.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 5.8nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 459pF @ 40V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.1W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- SOT-26
- Упаковка / чехол
- SOT-23-6
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- ZXMN6A08E6TC
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
Связанные ключевые слова "ZXMN"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| ZXMN 2A02 | FAIRCHILD | ZXMN 2A02 FAIRCHILD IC MSOP-8 |
| ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 |
| ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 |
| ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 |
| ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC |
| ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC |
| ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 |
| ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 |
| ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
| ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK |