Номер детали производителяGSID200A170S3B1
Производитель / МаркаGlobal Power Technologies Group
Количество на складе50200 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеSILICON IGBT MODULES
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию GSID200A170S3B1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение GSID200A170S3B1 в течение 24 часов.

номер части
GSID200A170S3B1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
-
конфигурация
2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
400A
Мощность - макс.
1630W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
26nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
D-3 Module
Пакет устройств поставщика
D3
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
GSID200A170S3B1

Связанные компоненты сделаны Global Power Technologies Group

Связанные ключевые слова "GSID2"

номер части производитель Описание
GSID200A120S3B1 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES
GSID200A120S5C1 Global Power Technologies Group IGBT MODULE 1200V 335A
GSID200A170S3B1 Global Power Technologies Group SILICON IGBT MODULES