BSC750N10NDGATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | BSC750N10NDGATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 93590 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | BSC750N10NDGATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSC750N10NDGATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- BSC750N10NDGATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Standard
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 3.2A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 75 mOhm @ 13A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 12µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 720pF @ 50V
- Мощность - макс.
- 26W
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 8-PowerVDFN
- Пакет устройств поставщика
- PG-TDSON-8 Dual
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- BSC750N10NDGATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "BSC75"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON |