Номер детали производителяDD1200S12H4HOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Количество на складе84520 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOD DIODE 1200A IHMB130-2
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию DD1200S12H4HOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DD1200S12H4HOSA1 в течение 24 часов.

номер части
DD1200S12H4HOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
-
конфигурация
2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
1200A
Мощность - макс.
1200000W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
DD1200S12H4HOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "DD120"

номер части производитель Описание
DD1200S12H4 Infineon Technologies DIODE MODULE 1200V 1200A
DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies MOD DIODE 1200A IHMB130-2
DD1200S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies DIODE MODULE 1200V 1200A
DD1200S45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies DIODE MODULE 1200V 1200A