Номер детали производителяDF120R12W2H3B27BOMA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Количество на складе29410 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIGBT MODULE 800V 50A
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию DF120R12W2H3B27BOMA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF120R12W2H3B27BOMA1 в течение 24 часов.

номер части
DF120R12W2H3B27BOMA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
-
конфигурация
Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
50A
Мощность - макс.
180W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
2.35nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
Yes
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
DF120R12W2H3B27BOMA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "DF120R"

номер части производитель Описание
DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 800V 50A