Номер детали производителяDF200R12PT4B6BOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Количество на складе14540 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIGBT MODULE VCES 1200V 200A
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию DF200R12PT4B6BOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF200R12PT4B6BOSA1 в течение 24 часов.

номер части
DF200R12PT4B6BOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
Trench Field Stop
конфигурация
Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
300A
Мощность - макс.
1100W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
15µA
Входная емкость (Cies) @ Vce
12.5nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
Yes
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
DF200R12PT4B6BOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "DF200R"

номер части производитель Описание
DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1