Номер детали производителяDF80R12W2H3FB11BPSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Количество на складе39730 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию DF80R12W2H3FB11BPSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF80R12W2H3FB11BPSA1 в течение 24 часов.

номер части
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
Trench Field Stop
конфигурация
Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
20A
Мощность - макс.
20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
2.35nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
Yes
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
DF80R12W2H3FB11BPSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "DF80R1"

номер части производитель Описание
DF80R12W2H3FB11BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF80R12W2H3_B11 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 160A