Номер детали производителяF475R12KS4BOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Количество на складе19030 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIGBT MODULE VCES 600V 75A
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию F475R12KS4BOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение F475R12KS4BOSA1 в течение 24 часов.

номер части
F475R12KS4BOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
-
конфигурация
Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
100A
Мощность - макс.
500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3.75V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
5.1nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
Yes
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
F475R12KS4BOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "F475R"

номер части производитель Описание
F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
F475R07W1H3B11ABOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULES
F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
F475R12KS4BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A