FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 78290 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение FF23MR12W1M1B11BOMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Standard
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 1200V (1.2kV)
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 50A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 23 mOhm @ 50A, 15V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5.55V @ 20mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 125nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 3950pF @ 800V
- Мощность - макс.
- 20mW
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Chassis Mount
- Упаковка / чехол
- Module
- Пакет устройств поставщика
- Module
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "FF23MR"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE |