Номер детали производителяFF800R12KE3NOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Количество на складе71620 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIGBT MODULE VCES 1200V 800A
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию FF800R12KE3NOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение FF800R12KE3NOSA1 в течение 24 часов.

номер части
FF800R12KE3NOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип IGBT
-
конфигурация
Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
1200A
Мощность - макс.
3900W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 800A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
57nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
FF800R12KE3NOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "FF800"

номер части производитель Описание
FF800R12KE3NOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 800A
FF800R12KF4 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 800A
FF800R17KE3NOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 800A
FF800R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 800A
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies IGBT MODULE 1700V 800A