IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB042N10N3GATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 41250 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPB042N10N3GATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB042N10N3GATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB042N10N3GATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 4.2 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 150µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 117nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 8410pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 214W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK (TO-263AB)
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPB042N10N3GATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB04"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB041N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3 |
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 |
| IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
| IPB04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |