IPB050N06NGATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB050N06NGATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 78040 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPB050N06NGATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB050N06NGATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB050N06NGATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 4.7 mOhm @ 100A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 270µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 167nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 6100pF @ 30V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 300W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK (TO-263AB)
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPB050N06NGATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB05"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 |
| IPB054N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
| IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 |
| IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3 |
| IPB05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
| IPB05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
| IPB05N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
| IPB05N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| IPB05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |