IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB65R095C7ATMA2 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 61080 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPB65R095C7ATMA2.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB65R095C7ATMA2 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB65R095C7ATMA2
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 650V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 24A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 95 mOhm @ 11.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 590µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2140pF @ 400V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 128W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO263-3
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPB65R095C7ATMA2
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPB65"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 |
| IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 |
| IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 |
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 |
| IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |