номер части

IPB65R600C6ATMA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

650V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

7.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

440pF @ 100V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

63W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

D²PAK (TO-263AB)

Упаковка / чехол

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IPB65R600C6ATMA1