IPC302N12N3X1SA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPC302N12N3X1SA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 33700 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPC302N12N3X1SA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPC302N12N3X1SA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPC302N12N3X1SA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 120V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1A (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 100 mOhm @ 2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 275µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
- Vgs (Макс.)
-
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
-
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
-
- Рабочая Температура
-
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- Sawn on foil
- Упаковка / чехол
- Die
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPC302N12N3X1SA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPC30"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPC300N15N3RX1SA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC300N20N3X7SA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS |
| IPC302N08N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N08N3X2SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER |
| IPC302N10N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N12N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N15N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N15N3X7SA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS |
| IPC302N20N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N20NFDX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N25N3AX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL |
| IPC302N25N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 1A SAWN ON FOIL |