номер части

IPD25N06S4L30ATMA2

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

60V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 8µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

16.3nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±16V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

1220pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

29W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

PG-TO252-3-11

Упаковка / чехол

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IPD25N06S4L30ATMA2