IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPD50N04S4L08ATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 78660 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPD50N04S4L08ATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD50N04S4L08ATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPD50N04S4L08ATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 40V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 7.3 mOhm @ 50A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 17µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- +20V, -16V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2340pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 46W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3-313
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPD50N04S4L08ATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPD50N"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| IPD50N04S308ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
| IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 |
| IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
| IPD50N04S410ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
| IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
| IPD50N06S214ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |
| IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |
| IPD50N06S2L13ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |
| IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 |