IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPD60R1K4C6ATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 47640 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPD60R1K4C6ATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPD60R1K4C6ATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPD60R1K4C6ATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 3.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 9.4nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 200pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 28.4W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO252-3
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPD60R1K4C6ATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPD60"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A |
| IPD600N25N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 |
| IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 |
| IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 |
| IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
| IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER |
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
| IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |