IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPDD60R102G7XTMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 55660 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPDD60R102G7XTMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPDD60R102G7XTMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPDD60R102G7XTMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 23A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 102 mOhm @ 7.8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 390µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1320pF @ 400V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 139W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PG-HDSOP-10-1
- Упаковка / чехол
- 10-PowerSOP Module
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPDD60R102G7XTMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
.jpg "IPT60R102G7XTMA1")
Связанные ключевые слова "IPDD6"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 |
| IPDD60R190G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 |