номер части

IPI120N06S4H1AKSA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

60V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

21900pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

250W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

PG-TO262-3-1

Упаковка / чехол

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IPI120N06S4H1AKSA1