IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPP040N06N3GXKSA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 38110 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPP040N06N3GXKSA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPP040N06N3GXKSA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPP040N06N3GXKSA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 90A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 4 mOhm @ 90A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 98nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 11000pF @ 30V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 188W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO-220-3
- Упаковка / чехол
- TO-220-3
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPP040N06N3GXKSA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPP04"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPP040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 |
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 |
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 |
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 |
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 |
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 |
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 |
| IPP045N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| IPP048N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 |
| IPP048N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
| IPP048N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 |