IPP50R199CPHKSA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPP50R199CPHKSA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 45620 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 550V TO-220 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IPP50R199CPHKSA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPP50R199CPHKSA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPP50R199CPHKSA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 550V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 199 mOhm @ 9.9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 660µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1800pF @ 100V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 139W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- PG-TO220-3-1
- Упаковка / чехол
- TO-220-3
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IPP50R199CPHKSA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IPP50"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPP50CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220 |
| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 |
| IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-220 |
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 23A TO-220 |
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 |
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V TO-220 |
| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-220 |
| IPP50R250CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220 |
| IPP50R299CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V TO220-3 |