номер части

IPSA70R2K0P7SAKMA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

700V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 30µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

3.8nC @ 400V

Vgs (Макс.)

±16V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

130pF @ 400V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

17.6W (Tc)

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

PG-TO251

Упаковка / чехол

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IPSA70R2K0P7SAKMA1