номер части

IPT015N10N5ATMA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

100V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

300A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 150A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

211nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

16000pF @ 50V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

375W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

PG-HSOF-8-1

Упаковка / чехол

8-PowerSFN

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

IPT015N10N5ATMA1