IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Количество на складе | 83720 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | IRF1310NSTRLPBF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IRF1310NSTRLPBF в течение 24 часов.
- номер части
- IRF1310NSTRLPBF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 42A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 36 mOhm @ 22A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 110nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 1900pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 3.8W (Ta), 160W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- D2PAK
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- IRF1310NSTRLPBF
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "IRF13"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRF130 | SAMSUNG | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF130-133 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V IC |
| IRF1302S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK |
| IRF131 | SAMSUNG | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF1310NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A TO-262 |
| IRF1310NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB |
| IRF1310NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1310NSTR | STMicroelectronics | IRF1310NSTR STM IC ORIGINAL |
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1310NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1310NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1312PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB |