номер части

LSIC1MO120E0080

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

SiCFET (Silicon Carbide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

1200V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

39A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

95nC @ 20V

Vgs (Макс.)

+22V, -6V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

1825pF @ 800V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

179W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-247-3

Упаковка / чехол

TO-247-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

LSIC1MO120E0080