номер части

LND01K1-G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

9V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

330mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 100mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

+0.6V, -12V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

46pF @ 5V

Функция FET

Depletion Mode

Рассеиваемая мощность (макс.)

360mW (Ta)

Рабочая Температура

-25°C ~ 125°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

SOT-23-5

Упаковка / чехол

SC-74A, SOT-753

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

LND01K1-G