номер части

TP5335K1-G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

350V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

85mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

30 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

110pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

360mW (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

TO-236AB (SOT23)

Упаковка / чехол

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

TP5335K1-G