Номер детали производителяMT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Производитель / МаркаMicron Technology Inc.
Количество на складе37550 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
Категория продуктаПамять
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR в течение 24 часов.

номер части
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип памяти
Non-Volatile
Формат памяти
FLASH
Технологии
FLASH - NAND
Размер памяти
1.125Tb (144G x 8)
Частота часов
-
Время цикла записи - слово, страница
-
Время доступа
-
Интерфейс памяти
Parallel
Напряжение - Поставка
2.5 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура
0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа
-
Упаковка / чехол
-
Пакет устройств поставщика
-
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.

Связанные ключевые слова "MT29E1T2"

номер части производитель Описание
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
MT29E1T208ECHBBJ4-3D:B MICRON MT29E1T208ECHBBJ4-3D:B NW892 MICRON Memory IC
MT29E1T208ECHBBJ4-3DES:B MICRON MT29E1T208ECHBBJ4-3DES:B NX788 MICRON Memory IC
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B MICRON MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B NX767 MICRON Memory IC
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA