MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E |
|---|---|
| Производитель / Марка | Micron Technology Inc. |
| Количество на складе | 92260 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| Категория продукта | Память |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT53B512M32D2DS-053 AAT:E в течение 24 часов.
- номер части
- MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип памяти
- Volatile
- Формат памяти
- DRAM
- Технологии
- SDRAM - Mobile LPDDR4
- Размер памяти
- 16Gb (512M x 32)
- Частота часов
- 1866MHz
- Время цикла записи - слово, страница
-
- Время доступа
-
- Интерфейс памяти
-
- Напряжение - Поставка
- 1.1V
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 105°C (TA)
- Тип монтажа
-
- Упаковка / чехол
-
- Пакет устройств поставщика
-
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Связанные компоненты сделаны Micron Technology Inc.
-
-
-
-
-
-
MICRONM58WR064KB7AZB6E/M58WR064KB7AZB6F MICRON Memory IC VFBGA-56 -
-
-
-
Связанные ключевые слова "MT53B512"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| MT53B512M16D1Z11MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53B512M16D1Z11NWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| MT53B512M32D2DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2GZ-062 AIT | MICRON | LPDRAM Memory IC |
| MT53B512M32D2GZ-062 AIT ES:B | MICRON | MT53B512M32D2GZ-062 AIT ES:B Z9SWT MICRON Memory IC |