MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B MICRON дистрибьютор
| Номер детали производителя | MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B |
|---|---|
| Производитель / Марка | MICRON |
| Количество на складе | 88680 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MT53B512M64D4NX-062 WT ESB Z9SWX MICRON Memory IC |
| Категория продукта | Микросхема памяти MICRON |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B в течение 24 часов.
- номер части
- MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- упаковка / Case
- Z9SWX
- Серии
- MT53B512M6
- Страна происхождения
- contact us
- Состояние детали
- available
- Memory Тип
- -
- Memory Format
- -
- Технологии
- Memory
- Memory Size
- -
- Тактовая частота
- -
- Write Cycle Time
- -
- Access Time
- -
- Memory Интерфейс
- -
- Voltage - Supply
- -
- Характерная чертаs
- -
- Рабочая Температура
- Contact us
- упаковка
- Reel or tube
- Комплект поставки устройства
- -
- Другая часть номер
- MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- MT53B512M64D4NX-062 WT ES:B
Связанные компоненты сделаны MICRON
Связанные ключевые слова "MT53B512M"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| MT53B512M16D1Z11MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53B512M16D1Z11NWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
| MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA |
| MT53B512M32D2DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 1600MHZ |
| MT53B512M32D2GZ-062 AIT | MICRON | LPDRAM Memory IC |
| MT53B512M32D2GZ-062 AIT ES:B | MICRON | MT53B512M32D2GZ-062 AIT ES:B Z9SWT MICRON Memory IC |