номер части

APTC90DAM60CT1G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

900V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

59A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

540nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

13600pF @ 100V

Функция FET

Super Junction

Рассеиваемая мощность (макс.)

462W (Tc)

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет устройств поставщика

SP1

Упаковка / чехол

SP1

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

APTC90DAM60CT1G