Номер детали производителяAPTSM120AM09CD3AG
Производитель / МаркаMicrosemi Corporation
Количество на складе85320 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию APTSM120AM09CD3AG.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение APTSM120AM09CD3AG в течение 24 часов.

номер части
APTSM120AM09CD3AG
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Функция FET
Silicon Carbide (SiC)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
337A (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 9mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
1224nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
23000pF @ 1000V
Мощность - макс.
-
Рабочая Температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
APTSM120AM09CD3AG

Связанные компоненты сделаны Microsemi Corporation

Связанные ключевые слова "APTSM"

номер части производитель Описание
APTSM120AM08CT6AG Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC
APTSM120AM09CD3AG Microsemi Corporation MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
APTSM120AM14CD3AG Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC
APTSM120AM25CT3AG Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC
APTSM120AM55CT1AG Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC
APTSM120TAM33CTPAG Microsemi Corporation POWER MODULE - SIC