PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | PMDPB30XN,115 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Nexperia USA Inc. |
| Количество на складе | 60440 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | PMDPB30XN,115.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение PMDPB30XN,115 в течение 24 часов.
- номер части
- PMDPB30XN,115
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 4A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 40 mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 21.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 660pF @ 10V
- Мощность - макс.
- 490mW
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 6-UDFN Exposed Pad
- Пакет устройств поставщика
- DFN2020-6
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- PMDPB30XN,115
Связанные компоненты сделаны Nexperia USA Inc.
Связанные ключевые слова "PMDP"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON |
| PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON |
| PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 |
| PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 |
| PMDPB65UP | NXP | Original NXP PMDPB65UP IC |
| PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 |
| PMDPB65UP//NTLJD31 | NXP | Original NXP PMDPB65UP//NTLJD31 IC |
| PMDPB70XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN |
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON |
| PMDPB80XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 |
| PMDPB85UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON |
| PMDPB95XNE2X | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON |