Номер детали производителяBF545A,215
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Количество на складе43750 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеJFET N-CH 30V 6.5MA SOT23
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию BF545A,215.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BF545A,215 в течение 24 часов.

номер части
BF545A,215
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип транзистора
N-Channel JFET
частота
-
Усиление
-
Напряжение - испытание
-
Текущий рейтинг
6.5mA
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
-
Выходная мощность
-
Напряжение - Номинальное напряжение
30V
Упаковка / чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
TO-236AB (SOT23)
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
BF545A,215

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "BF5"

номер части производитель Описание
BF5020WE6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
BF5020WH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 25MA SOT343
BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343
BF5030WH6327XTSA1 Infineon Technologies FET RF 8V 800MHZ SOT343
BF506 PHILIPS NXP TO-92 NXP PHILIPS BF506 IC
BF510 PHILIPS NXP N-channel silicon field-effect Transistors
BF510 / S6 PHILIPS NXP SOT-23 NXP PHILIPS BF510 / S6 IC
BF510 BF512 NXP Original NXP BF510 BF512 IC
BF510 TEL:82766440 PHILIPS NXP SOT-23 NXP PHILIPS BF510 TEL:82766440 IC
BF510,215 NXP USA Inc. JFET N-CH 20V 30MA SOT23
BF510.215 NXP Original NXP BF510.215 IC
BF511 PHILIPS NXP N-channel silicon field-effect Transistors